痕风的起点

50V 20PF CER GRM0335C1H200JA01D 电容器〈CAP C0G

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50V〉 ±5% 电容器〈20pF TCC0402COG200J500AT

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C0G 50V 20PF CER 0402〉 NP0 电容器〈CAP CL05C200JB5NNNC

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50V 0.2PF CER GRM0335C1HR20BA01D 电容器〈CAP C0G

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50V 0.2PF CER GRM1555C1HR20BA01D 电容器〈CAP C0G

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C0G 50V 20PF CER 0603〉 NP0 电容器〈CAP CL10C200JB8NNNC

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100mW〉 ±5% 电阻器〈20Ω ERJ3GEYJ200V

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50V〉 ±5% 电容器〈20pF C0201C0G200J500NTA

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50V 20PF CER GCM1555C1H200JA16D 电容器〈CAP C0G

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125mW〉 ±5% 电阻器〈20Ω ERJ6GEYJ200V

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100mW〉 ±5% 电阻器〈20kΩ ERJ3GEYJ203V

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50V 0.2PF CER GRM0335C1HR20WA01D 电容器〈CAP C0G

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100mW〉 ±1% 电阻器〈20kΩ ERJ3EKF2002V

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100mW〉 ±1% 电阻器〈20Ω ERJ3EKF20R0V

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125mW〉 ±5% 电阻器〈20kΩ ERJ6GEYJ203V

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125mW〉 ±1% 电阻器〈20kΩ ERJ6ENF2002V

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125mW〉 ±1% 电阻器〈20Ω ERJ6ENF20R0V

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0.55V@1A〉 分立半导体〈20V SS12

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C0G 50V 20PF CER 0805〉 NP0 电容器〈CAP CL21C200JBANNNC

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50V 20PF CER C0603C200J5GACTU NP0 电容器〈CAP C0G

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600mV@200mA〉 350mA 分立半导体〈20V MBR0520

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8.95V 0402〉 20A 电路保护〈VARISTOR V5.5MLA0402NR

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L9012QLT1G〈PNP 500mA〉 20V

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500mW〉 ±5% 分立半导体〈20V BZT52C20

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500mV@1A〉 分立半导体〈20V SS12

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2.8A〉 20V 分立半导体〈N沟道 SI2302A

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2.8A〉 20V 分立半导体〈P沟道 SI2301A

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分立半导体〈20V 540mV@500mA〉 500mA 30T1G LRB551V

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150V PURP GEN 分立半导体〈DIODE SOT23〉 200MA 215 BAS20

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450mV@1A〉 分立半导体〈20V B5817WS

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600mV@200mA〉 350mA 分立半导体〈20V B0520WS

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0.45V@1A〉 分立半导体〈20V DSK12

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