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    • 真品 20NO1 VBE20 VBE1405 资料

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    VBE20 12NO7 VBE17 全新VBE17 现货 06NO7 20NO1半空桥模块

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    RECT PAK V1A BRIDGE 20A 2KV 20NO1 VBE20

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    热卖 零件 VBE1405 20NO1 VBE20

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    450V 20m 450BX2A10 m电0解电容 10UF 5只 世擎VBE

    169.1元

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    贴片SSOP 474G5 MM3474G05VBE 全新原装 锂电池保护芯片 正品

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    锂电池保护芯片 丝印B385A TSSOP 全新原装 封装 MM3474DB1VBE

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    电流 20V 252 120A MOSFET VBE1202 场效应管 1个N沟道 耐压

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    电流 20V 252 65A MOSFET VBE1206 场效应管 1个N沟道 耐压

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    电流 20V 252 65A MOSFET VBE1206 场效应管 1个N沟道 耐压

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    11

    电流 20V 252 120A MOSFET VBE1202 场效应管 1个N沟道 耐压

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    电流 20V 252 120A MOSFET VBE1202 场效应管 1个N沟道 耐压

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    电流 20V 252 120A MOSFET VBE1202 场效应管 1个N沟道 耐压

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    电流 20V 252 65A MOSFET VBE1206 场效应管 1个N沟道 耐压

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    耐压 252 20V 1个N沟道 65A 电流 场效应管 VBE1206

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    耐压 252 20V 1个N沟道 120A 电流 场效应管 VBE1202

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    MOSFET 6mΩ@4.5V场效应管 45A 252 20V VBE1206▕原N沟

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    1个N沟道 耐压 252 20A MOSFET 电流 100V 场效应管 VBE1102M

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    1个N沟道 耐压 252 20A MOSFET 电流 100V 场效应管 VBE1102M

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    1个N沟道 耐压 252 20A MOSFET 电流 100V 场效应管 VBE1102M

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    1个N沟道 耐压 252 20A MOSFET 电流 100V 场效应管 VBE1102M

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    VBE1102M 耐压 20A 电流 1个N沟道 100V 252 场效应管

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    锂电池保护芯片 MM3474G02VBE TSSOP 丝印474G2 MITSUMI美上美

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    VBE2658A 60V 10V 49mΩ@ P沟道 20A 252 场效应管

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    P沟道 60V 252 10V MOSFET 49mΩ@ 20A 场效应管 VBE2658A

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    P沟道 60V 252 10V MOSFET 49mΩ@ 20A 场效应管 VBE2658A

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    VDS=60V Channel VBE2658 ID=3 MOS管 VGS=±20V

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    MITSUMI美上美 锂电控制保护IC 丝印474G 贴片SOP20 MM3474G01VBE

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    VGS=±20 VBE2658 分立半导体「MOS管 Channel VDS=60V

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